超聲波清洗機單晶硅片方法及其裝置方法是將被洗研磨硅片水平狀放置在清洗槽底部上方柵欄狀的石英棒框架上，在確保清洗槽內具有去離子水高度并不斷流動的條件下，利用設在清洗槽底部的超聲波振子進行清洗，超聲波頻率為40KHz，每5分鐘將研磨硅片翻一個面，連續超洗至被超洗的研磨硅片表面沒有黑色污染物冒出止。裝置中擱置單晶硅片框架的底壁為柵欄狀的石英棒，整個框架由支撐腳支撐在清洗槽內。本發明改豎超洗水平超洗后，解決了因硅片距離超聲波源不等、污染物易堆積在硅片表面下部而造成局部難以清洗干凈的問題，以及消除了用聚四氟材料制成的承載硅片的軟體花籃會吸附和阻擋超聲波源的傳遞，造成硅片表面局部區域清洗不干凈的現象。